MOCVD法で作製したβ-FeSi2薄膜の結晶粒観察事例
単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。
<使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)
<作業工程>
試料作製(FIB-マイクロサンプリング法) → 低エネルギーイオンミリング → TEM観察
<納期>
担当職員にお問い合わせください。
<測定例>
![図1 β-FeSi2薄膜の明視野像](/kistec-manage/wp-content/uploads/KD3NA226_1.png)
![図2 図4のaの規則格子反射を用いた暗視野像](/kistec-manage/wp-content/uploads/KD3NA226_2.png)
![図3 図4のbの規則格子反射を用いた暗視野像](/kistec-manage/wp-content/uploads/KD3NA226_3.png)
![図4 電子線回折像[110]入射](/kistec-manage/wp-content/uploads/KD3NA226_4-1024x1024.png)
単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。
<使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)
<作業工程>
試料作製(FIB-マイクロサンプリング法) → 低エネルギーイオンミリング → TEM観察
<納期>
担当職員にお問い合わせください。