電子技術部のご紹介

電子システムの試験・計測および電子デバイスのプロセス・実装分野で技術開発をお手伝いします。

  • 電磁ノイズ放射・電磁ノイズ耐性などEMC評価、温湿度サイクルなど環境試験
  • 電気特性評価、磁気測定など評価技術
  • マイクロ波帯の高周波測定、電磁界シミュレーションによる設計・解析
  • 薄膜作製・評価技術、微細加工技術、マイクロマシニング技術、電子デバイスの開発・試作
  • 膜厚・膜質評価、微細形状観察、X線回折試験など評価技術
  • 電子部品の接合強度やパワーモジュールの熱特性など各種実装評価
  • パワーサイクル試験など耐久性試験および超音波・X線CTによる非破壊内部不良観察

グループのご紹介

電子デバイスグループのご紹介

電子部品、センサ等に関する薄膜技術、微細加工、実装技術を担当しています。

主な技術支援項目

  • プロセス:薄膜作製、ドライエッチング、熱処理、ダイシングなどのデバイス試作
  • 実 装 :ワイヤーボンディング、ナノ粒子接合などの実装試作・評価
  • 評 価 :レーザ顕微鏡、膜厚測定などの材料評価、X線CT、超音波画像による非破壊観察・評価

研究開発・企業支援事例

マイクロセンサ(温度、ガス、光、磁気、風速)
実装、評価(鉛フリーはんだ)
実装、評価(パワーエレクトロニクス)

電子材料グループのご紹介

電子材料チームでは、薄膜作製・評価、微細加工技術、マイクロマシニング技術に関する研究開発、技術支援、及び人材育成を行っています。

主な技術支援項目

  • 薄膜作製:真空蒸着、スパッタリング、CVD等
  • 微細加工:電子線描画、フォトリソグラフィ、マイクロ電鋳プロセス等
  • 薄膜評価:膜厚測定、X線回折試験(逆格子マッピング)、レーザー顕微鏡等

平成29年度にハイブリッドレーザー顕微鏡と多目的X線回折装置を新規に導入しております。

研究開発・企業支援事例

めっきで作製した金型を用いたアルミナノインプリント
レーザー顕微鏡による非接触での表面形状計測
薄膜作製技術と微細加工など

電磁環境グループのご紹介

「電磁環境技術」、「高周波測定技術」、「電磁界シミュレーション技術」をキーワードとして研究開発及び相談、試験、研究、人材育成等の支援を行っています。

主な試験・研究項目

  • 電波暗室を利用した電子機器のEMC(電磁ノイズ)試験
  • ベクトル・ネットワーク・アナライザ(VNA)による高周波測定(伝送特性、誘電率、電磁波シールドなど)
  • 電磁界シミュレーションによる高周波の設計・解析支援

令和2年度に、放射・伝導電磁界イミュニティ試験システム(6GHzまで対応)、令和3年度にマイクロ波ネットワークアナライザ(ミリ波67GHzまで対応)を更新しております。

研究開発・企業支援事例

 

 EV、IoT機器の電磁ノイズ試験において、高精度な電磁界計測を可能とした光伝送システムを県内中小企業および大学と共同開発しました。

※本研究事業は、KISTECが公募した産学公連携事業化促進研究に採択されて実施しました。

次世代EMC計測用光伝送システムの開発

 マイクロ波・ミリ波ネットワークアナライザの測定技術(誘電率、Sパラメータ、アイパターン解析など)と電磁界シミュレーションの活用により、40Gbps以上の高速デジタル伝送可能なフレキシブル・プリント配線板の研究開発支援を行っています。

フレキシブル・プリント配線板の高周波伝送特性の改善

EMI測定
VCCI規格(CISPR32)に対応した放射妨害波測定、伝導妨害波測定(電源・通信)

イミニュティ試験
静電気放電、放射・伝導電磁界、FT/B、雷サージ等の耐ノイズ性試験

EMC(電磁ノイズ)試験

ネットワークアナライザ等の測定技術と電磁界シミュレーションの活用により、電子部品・電子材料等の研究開発支援を行っています。

マイクロ波・ミリ波ネットワークアナライザ(10MHz〜67GHz)
電磁かシミュレーション

電子システムグループのご紹介

「温度・湿度環境試験」、「電気・磁気計測技術」、「電子回路技術」をキーワードとした研究開発及び相談、試験、研究、人材育成等の支援を行っています。

主な試験・研究項目

  • 恒温恒湿槽、熱衝撃試験機、PCT試験機による電気機器・部品等の環境試験
  • 磁気測定、抵抗測定などの電磁気特性評価
  • 電流・電圧等各種電気量の計測、電子回路・部品・材料の試験

研究開発・企業支援事例

環境試験機器の整備

○急速温度変化サイクル試験機
(代表機器の型番)
  ESPEC ARSF-0250-15
(主な仕様)
  温度制御範囲: -70~+180℃
  湿度制御範囲: 10~98%R.H.(温度により変動)
  内容量 : 249リットル (W60×D80×H83 cm)
  IEC 60068-2-14-Nb/2-30/2-38に適合
  最速15℃/分の急速温度変化性能(-45℃⇔+155℃において)

○熱衝撃試験機
(代表機器の型番)
  ESPEC TSA-73ES-W
(主な仕様)
  低温側温度制御範囲: -70 ~ 0℃、
  高温側温度制御範囲: +60 ~200℃
  内容量 : 70リットル (W41×D37×H46 cm)
  通常棚(5kgまで)×2段、重量棚(30kgまで)×2段
  フラットケーブル孔(25×100mm長孔型)×1
  デフロストフリー機能により最大500時間連続運転可能
  (2ゾーン運転かつ、さらし時間10分以上60分未満の場合のみ)。

○高度加速寿命(PCT)試験機
(代表機器の型番)
  ESPEC EHS-412M
(主な仕様)
  温度制御範囲:105~162.2℃、
  湿度制御範囲: 75 ~100%RH
  圧力制御範囲:0.020~0.392MPa(Gauge)
  内容量 : φ294×L318 mm
  通常棚(5kgまで)×2段(大・小各1段)
  乾湿球温度制御」「不飽和制御」「濡れ飽和制御」の3モードを装備
  *試験中に空気を残留させることにより、酸素が劣化要因に影響する試料の加速寿命試験に有効なAir-HAST 機能装備。 

急速温度変化サイクル試験機
高度加速寿命(PCT)試験機
磁気特性測定(B-H曲線、磁気定数、磁歪)

EMC試験のご紹介(海老名本部)

海老名本部におけるEMC試験のご紹介です。

                      【※準備中】溝の口支所におけるEMC試験のご案内はこちら

一般電子機器の放射EMI測定(CISPR32、CISPR11等)*VCCI登録

周波数:30 MHz ~ 1GHz
床面:金属
周波数:1GHz ~ 6GHz
床面:ウレタン吸収体

放射電磁界イミュニティ試験(IEC61000-4-3)

周波数:80MHz ~ 6GHz
電界強度:20V/m@3m(AM変調時) ※100V/m以上@10cm
床面:フェライト+ウレタン吸収体
電界均一性:80MHz~6GHzでIEC61000-4-3準拠

電源・通信ポートEMI測定(CISPR32、CISPR11、電安法等)*VCCI登録z

周波数:(9kHz)150kHz~30 MHz
電圧プローブ
1.5kΩ 4pF 10kHz ~ 30MHz ※負荷端子や制御端子のようにLISN の使用が適切ではない場合に用いられる
電流プローブ(左)1kHz~250MHz
容量性電圧プローブ(右)9kHz~100MHz
※ISNの使用が適切ではない通信ケーブルに用いられる

雑音電力測定(電安法、CISPR14等)

雑音電力測定(電安法、CISPR14等)
周波数:30MHz ~300MHz(1GHz)
電磁波シールド室(2)

試験項目

  • 静電気放電イミュニティ試験( IT・電子機器IEC61000-4-2、車載電子機器ISO 10605、JASO D010)
  • FT/Bイミュニティ試験(IEC61000-4-4)
  • 雷サージイミュニティ試験(IEC61000-4-5)
  • 伝導電磁界イミュニティ試験(IEC61000-4-6)
  • 電圧変動・瞬停(IEC61000-4-11)*参考試験 電源容量1kWまで
  • インパルスノイズ試験(NECA TR-28、JEMA JEM-TR177)

FT/Bイミュニティ試験

FT/Bイミュニティ試験

EUT用安定化電源

EUT用安定化電源
 単相・DC 0~100V 2kVA
 単相・DC 0~240V 4kVA
 三相200V 6kVA

微細加工・MEMS開発を支援する機器設備と開発事例

薄膜作製を中心に各種加工やセンサー等の開発をお手伝いします。

【※準備中】微細加工・MEMS開発支援のご紹介資料はこちら/PDF・約〇KB

微細加工・MEMS開発を支援する機器設備

(株)エリオニクス ELS-S50
加速電圧 50KV
最小描画線幅10nm
つなぎ精度100nm
マスク5in、Φ4in
最大描画領域は90×62mm

SUSS Microdot MA6-BSA
基板サイズ: 2cm ~ 6inφ
マスクサイズ 4,5,7in
位置合せ精度: 表面 ±0.5um 裏面 ±1 um
解像度: 最小線幅 0.75um

ドラフト(酸・アルカリ、レジストコート・現像、異方性エッチ、RCA洗浄、レジスト剥離)
リンサードライヤー
間仕切りスペース
超純水蛇口供給

イオン化やプラズマ化して金属薄膜や合金薄膜、 反応性成膜(酸化膜、窒化膜等)を作製します。

(株)昭和真空 SIP-700(特)型 3元電子銃(10kW)
パルスアーク蒸着
バイアス電圧:DC/パルス(3kV)、RF(500W)
基板温度:~600℃

(株)ダイヘン ESQF-20L
マイクロ波出力;1KW
RFバイアス;100W
基板加熱温度400℃
ガス:SF6,CF4,C3F8,H2,O2,Ar,N2
基板サイズ: ~3inφ

アユミ工業 AB-40特注品
基板サイズ:3inφ
加熱温度500℃
温度均一性±10℃
到達真空度10-6Torr
位置合わせ機構

アネルバ L-332S-FH
基板サイズ:~3inφ
ソース3基(強磁性体用2基他)
基板加熱:最高300℃

基板サイズ:~4inφ
加熱温度1100℃
ドライ・ウェット・パイロジェニック酸化

ハーフピッチ50nmのLine&Spaceパターンのドーズ量依存性
ハーフピッチ200nmのリフトオフ構造
ハーフピッチ25nmEB描画
アルミ箔へのナノインプリント

青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法

SIPのHPでのご紹介はこちら(外部サイトへリンクします)

青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法①
青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法②
青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法③
青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法④
青色半導体レーザーを用いた普及型マイクロ光造形法⑤

その他の開発事例のご紹介

電気化学センサ(ドーパミン、ヒスタミン)、グルコース検出用マルチリアクター、μカラムチップ搭載ラクトースセンサ、マイクロ燃料電池等。

マイクロカラムチップ搭載ラクトースセンサ

マイクロカラムチップ搭載ラクトースセンサ

マイクロ風洞型風速計、シリコン歪センサ、近赤外線IDシリコンセンサ、薄膜磁気センサ、導波路型光電界センサ、カルマン渦流量計用センサ、モスアイ無反射構造4H-SiC紫外線センサ等、白金薄膜温度センサ。

SiC無反射構造

SiC無反射構造

シリコンオプティカルベンチ、シリコンブリッジ赤外線光源、ムービングマグネット式磁気駆動型光スキャナ、LIGA like プロセスによるNi電鋳、 PDMS・PMMA成形等。

シリコンオプティカルベンチ

シリコンオプティカルベンチ①
シリコンオプティカルベンチ②

シリコンブリッジ赤外線光源

シリコンブリッジ赤外線光源①
シリコンブリッジ赤外線光源②
 光源素子の温度時間応答特性

磁気駆動型光スキャナ

磁気駆動型光スキャナ①
磁気駆動型光スキャナ②

電子技術部へのお問い合わせ

技術相談は「KISTECの無料技術相談」をご利用下さい。
【海老名本部】〒243-0435 神奈川県海老名市下今泉705-1
TEL: 046-236-1500(代表)