LSIコンタクトホールの2方向観察事例
LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
<使用機器>
分析透過電子顕微鏡(FE-TEM/EDS)
集束イオンビーム装置(FIB)
低エネルギーイオンミリング装置(Gentle Mill)
<測定手順>
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察(微小欠陥の位置を確認)
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察(確認)
↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出(複数回)
↓
・ TEMによる平面観察
<納期>
担当職員にお問い合わせください。
<測定例>
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