LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例

LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。

＜使用機器＞
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

＜作業工程＞
FIB-マイクロプロービング法による試料作製　　→　　低エネルギーイオンミリング　　→　　STEM-EDS面分析

＜納期＞
担当職員にお問い合わせください。

＜測定例＞