低エネルギーイオンミリングを用いた化合物半導体の高分解能観察例

FIBによるTEM試料作製ではGaイオンビームによるダメージ層（～20nm）が加工面に形成されてしまいます。低エネルギーイオンミリング（Arイオンビーム）でGaイオンビームのダメージ層を除去し※、化合物半導体の構造を可視化することができます。
※Arイオンビームによる数nmのダメージ層あり

<使用機器>
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

<測定手順>
①FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
   ↓
②低エネルギーイオンミリングによるダメージ層の除去
   ↓
③TEMによる断面試料の観察

※ダメージ層の除去状況により、②、③の作業を複数回行います。
①→②→③→②→③→②→③・・・・

<納期>
担当職員にお問い合わせください。

＜測定例＞

測定例１ （AlGaAs/GaAs）

測定例２ （GaN）