技術部門紹介ORGANIZATION

電子部品、センサ等に関する薄膜技術、微細加工、実装技術を担当しています。

主な技術支援項目

• プロセス：薄膜作製、ドライエッチング、熱処理、ダイシングなどのデバイス試作
• 実　装　：ワイヤーボンディング、ナノ粒子接合などの実装試作・評価
• 評　価　：レーザ顕微鏡、膜厚測定などの材料評価、X線CT、超音波画像による非破壊観察・評価

電子材料チームでは、薄膜作製・評価、微細加工技術、マイクロマシニング技術に関する研究開発、技術支援、及び人材育成を行っています。

主な技術支援項目

• 薄膜作製：真空蒸着、スパッタリング、ＣＶＤ等
• 微細加工：電子線描画、フォトリソグラフィ、マイクロ電鋳プロセス等
• 薄膜評価：膜厚測定、Ｘ線回折試験（逆格子マッピング）、レーザー顕微鏡等

平成29年度にハイブリッドレーザー顕微鏡と多目的Ｘ線回折装置を新規に導入しております。

「電磁環境技術」、「高周波測定技術」、「電磁界シミュレーション技術」をキーワードとして研究開発及び相談、試験、研究、人材育成等の支援を行っています。

主な試験・研究項目

• 電波暗室を利用した電子機器のEMC（電磁ノイズ）試験
• ベクトル・ネットワーク・アナライザ（VNA）による高周波測定（伝送特性、誘電率、電磁波シールドなど）
• 電磁界シミュレーションによる高周波の設計・解析支援

令和2年度に、放射・伝導電磁界イミュニティ試験システム（6GHzまで対応）、令和3年度にマイクロ波ネットワークアナライザ（ミリ波67GHzまで対応）を更新しております。

　EV、IoT機器の電磁ノイズ試験において、高精度な電磁界計測を可能とした光伝送システムを県内中小企業および大学と共同開発しました。

※本研究事業は、KISTECが公募した産学公連携事業化促進研究に採択されて実施しました。

マイクロ波・ミリ波ネットワークアナライザの測定技術（誘電率、Sパラメータ、アイパターン解析など）と電磁界シミュレーションの活用により、40Gbps以上の高速デジタル伝送可能なフレキシブル・プリント配線板の研究開発支援を行っています。

EMI測定
VCCI規格(CISPR32)に対応した放射妨害波測定、伝導妨害波測定（電源・通信）

イミニュティ試験
静電気放電、放射・伝導電磁界、FT／B、雷サージ等の耐ノイズ性試験

ネットワークアナライザ等の測定技術と電磁界シミュレーションの活用により、電子部品・電子材料等の研究開発支援を行っています。

「温度・湿度環境試験」、「電気・磁気計測技術」、「電子回路技術」をキーワードとした研究開発及び相談、試験、研究、人材育成等の支援を行っています。

主な試験・研究項目

• 恒温恒湿槽、熱衝撃試験機、PCT試験機による電気機器・部品等の環境試験
• 磁気測定、抵抗測定などの電磁気特性評価
• 電流・電圧等各種電気量の計測、電子回路・部品・材料の試験

環境試験機器の整備

○急速温度変化サイクル試験機
（代表機器の型番）
　　ESPEC　ARSF-0250-15
（主な仕様）
　　温度制御範囲： -70～+180℃
　　湿度制御範囲： 10～98%R.H.（温度により変動）
　　内容量　： 249リットル (W60×D80×H83 cm)
　　IEC 60068-2-14-Nb/2-30/2-38に適合
　　最速15℃/分の急速温度変化性能（－45℃⇔＋155℃において）

○熱衝撃試験機
（代表機器の型番）
　　ESPEC　TSA-73ES-W
（主な仕様）
　　低温側温度制御範囲： -70 ～ 0℃、
　　高温側温度制御範囲： +60 ～200℃
　　内容量　： 70リットル (W41×D37×H46 cm)
　　通常棚（5kgまで）×2段、重量棚（30kgまで）×2段
　　フラットケーブル孔（25×100mm長孔型）×1
　　デフロストフリー機能により最大500時間連続運転可能
　　（2ゾーン運転かつ、さらし時間10分以上60分未満の場合のみ）。

○高度加速寿命（PCT）試験機
（代表機器の型番）
　　ESPEC　EHS-412M
（主な仕様）
　　温度制御範囲：105～162.2℃、
　　湿度制御範囲： 75 ～100%RH
　　圧力制御範囲：0.020～0.392MPa（Gauge）
　　内容量　： φ294×L318 mm
　　通常棚（5kgまで）×2段（大・小各1段）
　　乾湿球温度制御｣｢不飽和制御｣｢濡れ飽和制御｣の3モードを装備
　　＊試験中に空気を残留させることにより、酸素が劣化要因に影響する試料の加速寿命試験に有効なAir－HAST 機能装備。

試験項目

• 静電気放電イミュニティ試験（ IT・電子機器IEC61000-4-2、車載電子機器ISO 10605、JASO D010）
• ＦＴ／Ｂイミュニティ試験（IEC61000-4-4）
• 雷サージイミュニティ試験（IEC61000-4-5）
• 伝導電磁界イミュニティ試験（IEC61000-4-6）
• 電圧変動・瞬停（IEC61000-4-11）*参考試験　電源容量1kWまで
• インパルスノイズ試験（NECA TR-28、JEMA JEM-TR177）

(株)エリオニクス　ELS-S50
加速電圧 50KV
最小描画線幅10nm
つなぎ精度100nm
マスク5in、Φ4in
最大描画領域は90×62mm

SUSS Microdot　MA6-BSA
基板サイズ： 2cm ～ 6inφ
マスクサイズ 4,5,7in
位置合せ精度： 表面 ±0.5um　裏面 ±1 um
解像度： 最小線幅 0.75um

イオン化やプラズマ化して金属薄膜や合金薄膜、 反応性成膜（酸化膜、窒化膜等）を作製します。

（株）昭和真空　SIP-700(特)型 ３元電子銃（10kW）
パルスアーク蒸着
バイアス電圧：DC/パルス(3kV)、RF(500W)
基板温度：～600℃

(株)ダイヘン　ESQF-20L
マイクロ波出力；1KW
RFバイアス；100W
基板加熱温度400℃
ガス：SF6,CF4,C3F8,H2,O2,Ar,N2
基板サイズ： ～3inφ

アユミ工業　AB-40特注品
基板サイズ：3inφ
加熱温度500℃
温度均一性±10℃
到達真空度10-6Torr
位置合わせ機構

アネルバ　L-332S-FH
基板サイズ：～3inφ
ソース3基（強磁性体用２基他）
基板加熱：最高300℃

基板サイズ：～4inφ
加熱温度1100℃
ドライ・ウェット・パイロジェニック酸化