概要

【用途・特徴】
真空槽内に設けた並行平板型の電極に高周波を印加し、ガスをプラズマで分解し、イオンやラジカルを利用して薄膜などのドライエッチングを行う装置です。ポリシリコン薄膜、シリコン窒化膜、シリコン基板などのドライエッチングが可能です。

機器情報

メーカー名	日本真空技術株式会社
型番	特殊仕様
仕様	プラズマエッチングモード／基板：4インチウェハ以下／基板温度：常用350℃／導入可能ガス：六フッ化硫黄(SF6)、酸素
導入年度	昭和62年度

ご利用方法

依頼試験（KISTEC事業名：試験計測）で利用できます。