酸化拡散試験

電子技術部
海老名
  • 半導体・実装
  • 電気・電子製品
  • #薄膜作成・成膜

酸素や水蒸気を利用し、Si(シリコン)ウェハへ熱酸化により、酸化膜の形成を行います。また、Siウエハの不純物拡散を行います。

【試験対象】
 Siウェハ

4インチウェハに対応(推奨は3インチまで)/温度範囲400~1200℃/ドライ酸化、ウエット酸化

使用機器

酸化拡散装置

料金

NO. 項目 単位 料金
E1120 酸化拡散試験 1時間当たり  23,650円

担当部署

電子技術部 電子デバイスグループ