半導体プロセスにおける各種膜を光学式により非接触で膜厚測定します。

【試験対象】
　SiO2（酸化シリコン）膜／Si3N4（窒化シリコン）膜／レジスト膜／ポリSi（ポリシリコン）膜／ポリイミド膜　など

測定範囲10nm～20μm（膜種による）／測定再現精度0.1nm：膜厚10nm～3μm，0.03%：膜厚3μm～20μm／測定時間：約１秒

使用機器

料金

NO.	項目	単位	料金
E1130	光干渉式膜厚測定	１試料１測定点につき	3,190円
E1140	光干渉式膜厚測定　1測定点増	１試料につき１測定点増すごとに	1,540円

担当部署

電子技術部　電子材料グループ