酸素や水蒸気を利用し、Si（シリコン）ウェハへ熱酸化により、酸化膜の形成を行います。また、Siウエハの不純物拡散を行います。

【試験対象】
　Siウェハ

4インチウェハに対応（推奨は3インチまで）／温度範囲400～1200℃／ドライ酸化、ウエット酸化

使用機器

料金

NO.	項目	単位	料金
E160710-01	酸化拡散試験	１時間当たり	23,650円

担当部署

電子技術部　電子デバイスグループ