2024年8月21日
イオンミリング法 (大きい試料用)
イオンミリング法は、イオンミリング装置を用いて、サンプルをアルゴンイオンビームで、イオン研磨することにより加工歪の少ないサンプルを作製できます。
断面イオンミリング法
イオンミリング装置の液体窒素冷却機能を使用することで、ハンダや樹脂といった熱による変形等を伴うサンプルの断面作製も可能です。
平面イオンミリング法
特殊ホルダーを使用することで、EBSDなどの平面イオンミリングとしても使用することができます。
イオンビームスパッタ
イオンミリング装置のオプション機能(特殊ホルダー他)を使用し、SEM等のサンプルに極薄のカーボン膜等を成膜(導電性処理)することができます。
- 機種名:クロスセクションポリッシャー(IB-19520CCP)日本電子株式会社製
- 加速電圧:1kV~8kV
- 冷却温度:液体窒素冷却、温度調節機構あり
- 試料サイズ:担当職員にお問い合わせください。
使用機器
料金
NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
---|---|---|---|
K4250 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) A:容易な試料 |
1試料につき | 23,100円 |
K4252 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) B:標準的な試料 |
1試料につき | 45,980円 |
K4254 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) C:複雑な試料 |
1試料につき | 68,860円 |
K4256 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) D:非常に複雑な試料 |
1試料につき | 91,960円 |
K4257 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) 条件追加 |
1条件追加につき | 5,720円 |
K4258 | 断面イオンミリング法 (大きい試料用) クライオ |
クライオの使用 1試料につき | 5,830円 |
K4260 | 平面イオンミリング法 (大きい試料用) A:容易な試料 |
1試料につき | 11,220円 |
K4262 | 平面イオンミリング法 (大きい試料用) B:標準的な試料 |
1試料につき | 21,340円 |
K4264 | 平面イオンミリング法 (大きい試料用) C:複雑な試料 |
1試料につき | 31,350円 |
K4266 | 平面イオンミリング法 (大きい試料用) D:非常に複雑な試料 |
1試料につき | 41,800円 |
K4267 | 平面イオンミリング法 (大きい試料用) 条件追加 |
1条件追加につき | 5,390円 |
K4270 | イオンビームスパッタ | 1試料につき | 5,940円 |