2023年5月16日
LSIコンタクトホールの２方向観察事例
LSIに異常が確認され、断面観察よりコンタクトホール直下約50nmの箇所に微小欠陥を捉えることができました。
また、同箇所の平面観察を行い、微小欠陥を定量化しました。
＜使用機器＞ 分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）
＜測定手順＞
・FIB-マイクロプロービング法による断面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・TEMによる断面観察（微小欠陥の位置を確認）
↓
・FIBによる平面試料作製
↓
・低エネルギーイオンミリングによる薄片化
↓
・ TEMによる平面観察（確認）
↓
・低エネルギーイオンミリングによる微小欠陥の抽出（複数回）
↓
・ TEMによる平面観察
＜納 期＞ 担当職員にお問い合わせください。
測定例
ご利用を希望される方へ
このページのご紹介内容は、依頼試験でご利用いただけます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。
使用機器
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/FE-TEM-EDS_EM002BF-1200x675-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]")
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/DSC03867-2-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]")
![イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/f56326d57be04fd66a1a2acd83abca53.jpg "イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]")
料金
| NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
|---|---|---|---|
| K120413-01 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 10万倍以下 |
倍率 10万倍以下 １視野につき | 19,470 |
| K120440-03 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | 低加速ガリウムイオン仕上げ １試料につき | 122,100 |
| E161016-01 | 車載機器の放射・伝導妨害波測定 ２時間まで | ２時間まで | 40,810 |
| K120413-03 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 10万倍を超えて50万倍以下 |
倍率 10万倍を超えて50万倍以下 １視野につき |
25,850 |
| K120416-01 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 試料傾斜調整 |
試料傾斜調整 １条件ごとに | 13,420 |
ご利用方法
依頼試験（KISTEC事業名：試験計測）、委託受託（KISTEC事業名：技術開発受託）で利用できます。
