2023年5月18日
LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例
LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。
使用機器
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）
作業工程
FIB-マイクロプロービング法による試料作製 → 低エネルギーイオンミリング → STEM-EDS面分析
納期
担当職員にお問い合わせください。
測定例
使用機器
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/FE-TEM-EDS_EM002BF-1200x675-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]")
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/DSC03867-2-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]")
![集束イオンビーム装置（マルチ解析用・FIB-SEM/EDS/EBSD）[Scios LoVacシステム]1600ｘ900](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/Scios_picture-1600x900-1.png "集束イオンビーム装置（マルチ解析用・FIB-SEM/EDS/EBSD）[Scios LoVacシステム]")
![イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/f56326d57be04fd66a1a2acd83abca53.jpg "イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]")
料金
| NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
|---|---|---|---|
| K120413-03 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 10万倍を超えて50万倍以下 |
倍率 10万倍を超えて50万倍以下 １視野につき |
25,850 |
| K120440-03 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン | 低加速ガリウムイオン仕上げ １試料につき | 122,100 |
| K120437-03 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング （ジェントルミル） | １試料１条件につき | 14,850 |
| K120416-01 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 試料傾斜調整 |
試料傾斜調整 １条件ごとに | 13,420 |
| K120422-06 | 分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 面分析 |
面分析 １視野５元素ごとに、または２時間につき |
109,230 |
ご利用方法
依頼試験（KISTEC事業名：試験計測）、委託受託（KISTEC事業名：技術開発受託）で利用できます。
