2023年5月18日
LSIコンタクトホールのTEMマッピング事例
LSIコンタクトホールの断面を観察を行い、同箇所においてTEM/EDSによる面分析（元素マップ）を行いました。
＜使用機器＞
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）
＜作業工程＞
FIB-マイクロプロービング法による試料作製 → 低エネルギーイオンミリング → STEM-EDS面分析
＜納期＞
担当職員にお問い合わせください。
測定例
ご利用を希望される方へ
このページのご紹介内容は、依頼試験でご利用いただけます。
観察条件および撮影枚数により費用は変わりますので、詳細は担当職員にお問い合わせください。
ご要望に応じて見積書を作成いたします。
使用機器
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/FE-TEM-EDS_EM002BF-1200x675-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]")
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/DSC03867-2-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]")
![集束イオンビーム装置（マルチ解析用・FIB-SEM/EDS/EBSD）[Scios LoVacシステム]1600ｘ900](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/Scios_picture-1600x900-1.png "集束イオンビーム装置（マルチ解析用・FIB-SEM/EDS/EBSD）[Scios LoVacシステム]")
![イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/f56326d57be04fd66a1a2acd83abca53.jpg "イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]")
料金
| NO. | 項目 | 単位 | 料金 |
|---|---|---|---|
| K1441 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 10万倍を超えて50万倍以下 |
倍率 10万倍を超えて50万倍以下 １視野につき |
25,850 |
| K1625 | TEM試料調製 FIB-マイクロプロービング法 低加速ガリウムイオン |
低加速ガリウムイオン仕上げ １試料につき |
122,100 |
| K1425 | TEM試料調製 低エネルギーイオンミリング （ジェントルミル） |
１試料１条件につき | 14,850 |
| K1460 | 分析透過電子顕微鏡観察（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 試料傾斜調整 |
試料傾斜調整 １条件ごとに | 13,420 |
| K1530 | 分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF] 面分析 |
面分析 １視野５元素ごとに、または２時間につき |
109,230 |
