光学多層薄膜上の異常部の解析事例

川﨑技術支援部
溝の口
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光学多層薄膜上にて確認された、突起のような異常部の発生原因について調査しました。

<試料>
光学多層薄膜(SiO2(基板)/TiO2/SiO2/TiO2/SiO2…)
※SEM観察のためPtをコート済み
<使用機器>
集束イオンビーム装置(FIB-SEM/EDS)

異常部のEDS点分析
図1 異常部のEDS点分析

→ 正常部(1)と異常部(2)に明確な差異は見られず。

FIB加工した異常部断面のSEM観察
図2 FIB加工した異常部断面のSEM観察

→ 異常部の最下層に異物と空隙を発見。

異常部断面のEDS面分析
図3 異常部断面のEDS面分析

→ 成膜前の基板上の異物が原因と考えられる