2022年12月10日
MOCVD法で作製したβ-FeSi2薄膜の結晶粒観察事例
単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。
<使用機器>
分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）
<作業工程>
試料作製（FIB-マイクロサンプリング法） → 低エネルギーイオンミリング → TEM観察
＜納期＞
担当職員にお問い合わせください。
![図4 電子線回折像[110]入射](/kistec-manage/wp-content/uploads/KD3NA226_4-1024x1024.png)
使用機器
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/DSC03867-2-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/STEM/EDS）[Talos F200X]")
![分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/FE-TEM-EDS_EM002BF-1200x675-1.jpg "分析透過電子顕微鏡（FE-TEM/EDS）[EM002BF]")
![集束イオンビーム装置（FIB-SEM/EDS）[XVision 200TB]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/FIBSEM-800x450-1.jpg "集束イオンビーム装置（FIB-SEM/EDS）[XVision 200TB]")
![イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]](https://www.kistec.jp/connect/verbinden/wp-content/uploads/f56326d57be04fd66a1a2acd83abca53.jpg "イオンミリング装置（低エネルギー型）[Gentle Mill IV5]")