単結晶基板上にMOCVD法で作製したβ-FeSi2膜の結晶性、結晶サイズ、膜厚を断面方向からの観察で明らかにしました。

<使用機器>

分析透過電子顕微鏡（FE-TEM）
集束イオンビーム装置（FIB）
低エネルギーイオンミリング装置（Gentle Mill）

<作業工程>

試料作製（FIB-マイクロサンプリング法）　　→　　低エネルギーイオンミリング　　→　　TEM観察

＜納期＞

担当職員にお問い合わせください。

使用機器

ご利用方法

依頼試験（KISTEC事業名：試験計測）で利用できます。