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2024年12月9日
反射型三次元成型回路部品（MID）へのメタライズ配線プロセスの品質向上と工程の簡略化
京浜光膜工業株式会社、岩手大学、KISTEC電子技術部
三次元成型回路部品（MID）はロボット、IoT、エレクトロニクス、ライフサイエンス等のさまざまな分野で小型化・高密度化・高性能化を実現させるために利用が期待されていますが、MIDの樹脂成型材料には高耐熱性、高周波特性などの性能向上を目的としてポリイミドや液晶ポリマーなどのスーパーエンジニアプラスチックが用いられる場合があります。MIDに回路形成するためには金属膜を形成する必要がありますが、このようなスーパーエンジニアプラスチック上に金属膜を形成する場合、膜の密着性が低いため十分な信頼性が確保できないという問題があります。
本研究では、岩手大学が保有する分子接合技術を活用して、スパッタリング法によるスーパーエンジニアプラスチック上の金属膜の密着力を向上させる技術の開発と、MIDの量産化プロセスへの応用について取り組んでいます。２年目では基板前処理からメッキ工程までの構築を行い、分子接合技術を利用したスーパーエンジニアプラスチック上金属薄膜の形成プロセスの最適化を行いました。今後は明確化した課題の解決に取り組み、MID製造プロセスへの展開を進めていきます。
金属膜密着性評価用MID試作サンプル
（三次元形状にも均一に成膜されている）
